一、定义与核心优势：为大功率场景而生

平板式晶闸管属于普通晶闸管（KP 型）的典型封装形式，采用 PNPN 四层半导体结构，具备阳极（A）、阴极（K）、门极（G）三电极。其核心设计在于双面冷却平板封装，通过全扩散工艺与中心放大门极结构，实现对高压大电流的精准控制。区别于螺旋式晶闸管的单端散热，平板式器件可通过两个独立散热器（风冷或水冷）夹紧，散热效率提升 50% 以上，适用于额定电流≥200A 的严苛场景，如中频炉、高压变频器等。

二、技术特性：结构创新驱动性能突破
封装与散热设计
  平板陶瓷封装：全封闭陶瓷 - 金属结构，兼具绝缘性与机械强度，适应高湿度、多粉尘工业环境。
  双面冷却技术：芯片两侧直接接触散热器，形成高效热传导路径，相比单端散热器件，结温均匀性提升 30%，最高工作温度可达 150℃。
  中心放大门极：优化触发灵敏度，降低门极触发电流阈值，确保在强电磁干扰下可靠导通，触发电流典型值≤50mA。

电气性能
  电压与电流等级：涵盖 600V 至 8000V 耐压，单器件最大电流可达 5000A，满足从工业整流到高压直流输电的多元需求。
  半控型特性：仅通过门极正向脉冲触发导通，导通后需依赖外部条件（如电流过零或反向电压）关断，结构简单且成本优势显著。
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