半导体材料：

  可控硅模块的核心芯片通常采用硅（Si）这种半导体材料。硅具备优异的电学性能以及良好的热稳定性，能够承受较高的电压和电流，从而满足可控硅在各种不同工作条件下的实际需求。在芯片内部，通过特定的掺杂工艺，形成了由 P 型半导体和 N 型半导体交替排列组成的四层结构，也就是 P1 - N1 - P2 - N2，这一结构是可控硅得以实现其独特功能的基础所在。

PN 结：

  上述的四层结构形成了三个 PN 结，分别是 J1（P1 - N1）、J2（N1 - P2）和 J3（P2 - N2）。这些 PN 结在不同的电压条件下会展现出各异的导电特性，它们是可控硅实现导通和截止控制的关键要素。当在可控硅的阳极（A）和阴极（K）之间施加正向电压，并且在控制极（G）上施加合适的触发信号时，J2 结就会被击穿，此时可控硅便进入导通状态；而当阳极电压降低或者变为反向电压，并且电流小于维持电流时，可控硅就会恢复到截止状态。

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