可控硅模块的主要弱点是承受过电流和国电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致可控硅模块的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。

过电压可能导致可控硅模块的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅模块在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施:

1、阻容保护： 阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅模块电路中的一种过电压保护方式，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。

 

2、是硒堆保护：硒堆也就是整流桥。在硅技术还不成熟的五、六十年代整流没备除了用真空管之外、就里用硒桥做整流。硒在面接触压紧后可以通过大电流。

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