解析关键参数：看懂 datasheet 的核心逻辑

可控硅模块的 datasheet 往往包含数十项参数，以下为必须重点关注的 “黄金指标”：

（一）核心电气参数

参数名称

符号

含义与选型要点

断态重复峰值电压

VDRM

模块能承受的正向最大电压，需≥电路峰值电压的 1.5 倍（如电网应用选 1600V 模块）

反向重复峰值电压

VRRM

模块能承受的反向最大电压，需≥电路反向电压峰值，避免反向击穿

通态平均电流

IT(AV)

模块可持续通过的平均电流，需根据负载有效值计算（如阻性负载 IT (AV)=I 有效值 ×0.637）

通态峰值电压

VT

导通时的电压降，越低则损耗越小（优质模块 VT≤1.5V，节能效果显著）

门极触发电流 / 电压

IGT/VGT

触发模块导通所需的最小电流 / 电压，需与驱动电路匹配（触发信号需≥1.2 倍 IGT/VGT）

（二）动态特性参数

开通时间（Ton）与关断时间（Toff）：高频场景（如逆变器＞1kHz）需选择快速晶闸管模块（Ton＜10μs，Toff＜50μs），低频场景（如电机调速＜100Hz）可选用普通模块降低成本。

电流上升率（di/dt）与电压上升率（dv/dt）：感性负载（如电机、变压器）需关注 di/dt（需≥负载启动时的电流突变率），容性负载需关注 dv/dt（避免误触发），通常模块参数需≥实际工况的 2 倍。

（三）热特性参数

结温（Tj）与热阻（Rth (j-c)）：结温决定模块的工作温度上限（通常为 - 40℃~125℃），热阻反映散热效率（Rth (j-c)≤0.5K/W 为优）。可通过公式

P

loss

 =VT×IT(AV)

 计算损耗功率，再结合散热器热阻

Rth(c−a)

 确保结温安全。

返回产品百科