目前交流调压多采用双向可控硅，它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点，对提高生产效率和降低成本等都有显着效果，但它也具有过载和抗干扰能力差，且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点，下面我们来谈谈双向可控硅在其使用中如何避免上述问题。
       1.灵敏度
       双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区别的。

       2.可控硅过载的保护
       双向可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成双向可控硅损坏，因此为保证双向可控硅正常工作，需有条件：
     （1）在双向可控硅外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；
     （2）双向可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取；
     （3）为保证双向可控硅控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，双向可控硅过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，双向可控硅过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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