可控硅模块产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。
       由于可控硅模块的过流能力比一般电气设备低得多，因此，必须对可控硅模块采取过电流保护措施。

       下面可控硅厂家昆二晶为大家讲解可控硅模块装置中可能采用的4种过电流保护措施：
       1、交流进线串接漏抗大的整流变压器利用电抗限制短路电流，但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
       2、电检测和过流继电器电流检测是用取样电流与设定值进行比较，当取样电流超过设定值时，比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以减少电流。有时须停机。
       3、直流快速开关对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器断开而保护了可控硅模块，但价格昂贵使用不多。
       4、快速熔断器与普通熔断器比较，快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件，它具有快速熔断的特性，在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。快速熔断器可接在交流侧、直流侧或与可控硅桥臂串联，后者直接效果较好。一般说来快速熔断器额定电流值（有效值IRD）应小于被保护可控硅模块的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同时要大于流过可控硅的实际通态方均根电流（即有效值）IRMS。
        以上就是昆二晶可控硅模块为大家讲解的可控硅模块装置中可能采用的4种过电流保护措施，更多详情在昆二晶官网查看。
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